全球首创※！ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC “BM2SCQ12xT-LBZ”助力交流400V工业设备实现显著的小型化、高可靠性及节能

更新时间：2019-04-18 | 宣布人：

＜提要＞

1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器IC“BM2SCQ12xT-LBZ”

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都） ，面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备 ，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ” 。
“BM2SCQ12xT-LBZ”是世界首款内置节能性能极其优异的SiC MOSFET的AC/DC转换器IC ，消除了分立结构带来的设计课题 ，从而可很是容易地开发出节能型AC/DC转换器 。专为工业设备的辅助电源*3)用而优化的控制电路和SiC MOSFET一体化封装 ，使得新产品与普通产品相比具有诸多优势 ，部件数量显著减少（将12种产品和散热板缩减为1个产品） ，部件故障危害降低 ，引进SiC MOSFET相应的开发周期减少等 ，一举解决了诸多课题 。与ROHM以往产品相比 ，功率转换效率提高达5%（按功率损耗盘算 ，削减28%） 。因此 ，本产品很是有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化 。
本产品已于2019年1月开始出售样品（样品价格2,500日元/个 ，不含税） ，计划于2019年5月开始暂以月产10万个的规模投入量产 。另外 ，本产品和预计今夏开始销售的评估板将于2019年4月17日~19日在日本幕张国际会展中心举行的“TECHNO-FRONTIER 2019”上展出 。
未来 ，ROHM将继续开发SiC元器件等功率半导体*4)和用来控制功率半导体的IC ，并不绝优化这些产品 ，为工业设备的节能化和系统优化孝敬力量 。

＜配景＞

近年来 ，随着节能意识的提高 ，在交流400V工业设备领域 ，相比现有的Si功率半导体 ，可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广 。而另一方面 ，在工业设备中 ，除了主电源电路之外 ，还内置有为种种控制系统提供电源电压的辅助电源 ，辅助电源中广泛接纳了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较大的IGBT ，在节能方面保存很大课题 。
ROHM针对这些挑战 ，于2015年推出全球首款用来驱动高耐压、低损耗SiC MOSFET的AC/DC转换器控制IC ，并一直致力于开发充分发挥SiC功率半导体性能的IC ，在行业中处于领先职位 。此次又开发出全球首款内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC ，将大大增进接纳SiC MOSFET的AC/DC转换器在工业领域的普及 。

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＜新产品特点＞

新产品“BM2SCQ12xT-LBZ”接纳专为内置SiC MOSFET而开发的专用封装 ，并集成了专为工业设备的辅助电源而优化的SiC MOSFET驱动用栅极驱动电路等控制电路和1700V耐压SiC MOSFET 。
作为全球首创的内置1700V耐压SiC MOSFET*的AC/DC转换器IC ，本产品具有以下特点 ，很是有助于AC400V级工业设备的小型化、节能化以及实现更高可靠性 ，从而有助于推动接纳SiC MOSFET的AC/DC转换器的顺利普及 。

1. 将散热板和多达12种产品一体化封装 ，在小型化方面具有压倒性优势

本产品接纳一体化封装 ，相比接纳Si-MOSFET的普通分立结构 ，部件数量显著减少 ，1个封装内包括多达12种产品（AC/DC转换器控制IC、800V耐压Si-MOSFET×2、齐纳二极管×3、电阻器×6）和散热板 。另外 ，由于SiC MOSFET具有高耐压、抗滋扰性能优异的特点 ，还可实现降噪部件的小型化 。

2. 减少开发周期和危害 ，内置�；すπ� ，可靠性更高

应用与新产品效果

接纳一体化封装 ，可减少钳位电路和驱动电路的部件选型及可靠性评估的工时 ，可降低部件故障危害 ，可缩减引进SiC MOSFET时的开发周期 ，一举多得 。另外 ，除了通过内置SiC MOSFET而实现的高精度过热�；ぃ═hermal Shutdown）功效外 ，还配备了过负载�；ぃ‵B OLP）、电源电压引脚的过电压�；ぃ╒CC OVP）、过电流�；ぁ⒍尾嗟缪沟墓缪贡；すπ� 。进行连续驱动的工业设备电源所需的富厚�；すπ氡� ，很是有助于提高可靠性 。

3. 引发出SiC MOSFET的性能 ，节能效果显著

AC/DC转换器中的Si和SiC效率比照

本产品中搭载的很是适合SiC MOSFET驱动用的栅极驱动电路 ，通过充分发挥SiC MOSFET的实力 ，与接纳Si-MOSFET的普通产品相比 ，效率提升高达5%（截至2018年4月ROHM视察数据） 。另外 ，本产品的控制电路接纳准谐振方法 ，与普通的PWM方法相比 ，运行噪声低、效率高 ，尽可能降低对工业设备的噪声影响 。

＜接纳SiC MOSFET的利益＞

在高耐压规模中 ，SiC MOSFET与Si-MOSFET相比 ，具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变革”等优势 �；谡庑┯攀� ，当SiC-MOSFET用于AC/DC转换器和DC/DC转换器等中时 ，可带来更高的功率转换效率、散热器件的小型化、高频事情使线圈更小等利益 ，具有更节能、部件数量更少、装置面积更小等效果 。